上周六，英特尔在大连市投资建立的大连芯片厂正式举行奠基仪式。据了解，大连芯片厂投资总额达到25亿美元，是英特尔在全球第八个、亚洲第一个300毫米晶圆厂。
大连芯片厂总使用面积达16.3万平方米，计划采用英特尔先进的纳米制程工艺，并配合全球主流的300毫米晶圆技术，以完善英特尔在全球的芯片生产网络。
据英特尔有关负责人介绍，由于大连芯片厂要到2010年才能投入生产，届时其采取的工艺将不一定只限于此前公布的90纳米，“我们会把在美国政府许可的最先进的技术应用到新工厂”。考虑到英特尔自身每两年就完成一次工艺升级，大连芯片厂届时很可能会采用65纳米技术或者更进一步的45纳米技术，这无疑对中国的半导体技术提升更加具有积极意义。
